在半導(dǎo)體行業(yè)中，碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的電氣特性和熱穩(wěn)定性而受到廣泛關(guān)注。作為高功率、高頻電子器件的理想材料，SiC的應(yīng)用逐漸滲透到電力電子、汽車(chē)電子和光電子等多個(gè)領(lǐng)域。然而，SiC襯底的質(zhì)量直接影響到器件的性能和可靠性，因此，對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行嚴(yán)格的檢測(cè)顯得尤為重要。本文將詳細(xì)探討碳化硅襯底檢測(cè)的必要性、主要檢測(cè)方法、質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)及其對(duì)行業(yè)發(fā)展的影響。